考题
三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是()
A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏，发射结反偏D、集电结反偏，发射结正偏
考题
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏
考题
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
考题
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A、前者反偏、后者反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者正偏D、前者反偏，后者正偏
考题
PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。()
此题为判断题(对，错)。
考题
PN结反偏时，正向电流（），相当于PN结（）。A.很小；导通
B.较大；导通
C.很小；截止
D.较大；截止
考题
变容二极管的电容量随（）变化。A、正偏电流B、反偏电压C、结温
考题
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
考题
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
给PN结加反向电压（反偏）时，耗尽层将（）A、变窄B、变宽C、不变
考题
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
考题
PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
考题
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
考题
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
考题
晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏
考题
PN结具有（）特性。A、正偏B、反偏C、单向D、双向
考题
当三极管工作在放大区时，发射结电压和集电极电压应为（）A、反偏、反偏B、反偏、正偏C、正偏、反偏D、正偏、正偏
考题
填空题PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
考题
判断题对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。A
对B
错
考题
单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A
发射结和集电结同时反偏B
发射结正偏，集电结反偏C
发射结和集电结同时正偏D
发射结反偏，集电结正偏
考题
填空题光电二极管的PN结工作在反偏状态，它的反向电流会随光照强度的增加而（）。
考题
问答题为什么发光二极管的PN结要加正向电压才能发光？而光电二极管要零偏或反偏才能有光生伏特效应？
考题
问答题简述PN结光伏效应（分正偏、反偏、零偏三种情况）。
考题
填空题PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
考题
单选题若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A
发射结正偏、集电结正偏B
发射结反偏、集电结反偏C
发射结正偏、集电结反偏D
发射结反偏、集电结正偏