考题
采用浮栅技术的EPROM中存储的数据是()可擦除的。
A、不B、紫外线C、电D、高压电
考题
EPROM是（）A.随机存储器B.只读存储器C.可电擦除的存储器D.可紫外线擦除的存储器
考题
可用紫外光线擦除信息的存储器是（）。
A. DRAM
B. PROM
C. EPROM
D. EEPROM
考题
EPROM在整片擦除后，其各单元内容是（）H。
考题
EPROM芯片的程序擦除需要（）A、CPUB、高电压C、低电压D、紫外光
考题
MROM指（）只读存储器，PROM指（）只读存储器，EPROM指（）擦除PROM，EEPROM指（）擦除PROM。
考题
可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。
考题
存储器EPROM里的数据是需要电池保持的。它的内容是电写入，紫外线擦除。
考题
半导体EPROM写入的内容，可以通过（）擦除。A、紫外线照射B、电信号C、口令D、DOS命令
考题
EPROM在擦除后所有的基本单元都回到什么状态（0还是1）？Flash存储器有什么优点和缺点？
考题
EPROM是（）A、随机存储器B、只读存储器C、可电擦除的存储器D、可紫外线擦除的存储器
考题
EPROM是一种具有可擦除功能，可用（）擦除后，进行再编程的ROM内存A、5V直流电B、12V直流电C、12V交流电D、紫外线
考题
EPROM全称为（）。A、不可编程只读存储器B、电可擦除可编程只读存储器C、可编程不可擦除只读存储器D、可编程可擦除只读存储器
考题
7系列EPROM存储的数据是（）可擦除的。A、不B、电C、紫外线D、融断器
考题
内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为（）。A、RAMB、FLASHC、动态MOS型RAMD、EPROM
考题
下述关于EPROM的描述中哪一项是正确的（）。A、只读存储器B、不能擦除数据C、光擦除可编程的只读存储器D、以上都错误
考题
填空题EPROM为可用（）擦除的可编程ROM。
考题
判断题可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。A
对B
错
考题
单选题EPROM芯片的程序擦除需要（）A
CPUB
高电压C
低电压D
紫外光
考题
单选题EPROM是（）A
随机存储器B
只读存储器C
可电擦除的存储器D
可紫外线擦除的存储器
考题
单选题采用浮栅技术的EPROM中存储的数据是（）可擦除的。A
不B
紫外线C
电D
高压电
考题
填空题MROM指（）只读存储器，PROM指（）只读存储器，EPROM指（）擦除PROM，EEPROM指（）擦除PROM。
考题
填空题EPROM在整片擦除后，其各单元内容是（）H。
考题
单选题7系列EPROM存储的数据是（）可擦除的。A
不B
电C
紫外线D
融断器