考题
高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用()。
A.功率场效应晶体管B.绝缘栅双极晶体管C.电力晶体管
考题
下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管
考题
高性能的高压变频调速装置的主电路开关器件采用（）。A、快速恢复二极管理体制B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管
考题
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
考题
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
考题
下列不是高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用的是（）。A、功率场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、三极管
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
考题
请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
考题
试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
考题
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
考题
电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为：（）、（）、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
考题
功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和（）驱动电种型。A、微分B、积分C、比例D、PID
考题
单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
考题
问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
考题
多选题下列不是高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用的是（）。A功率场效应晶体管B绝缘栅双极晶体管C电力晶体管D三极管
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
判断题绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A
对B
错
考题
填空题请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
考题
判断题场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。A
对B
错
考题
填空题请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
考题
单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）A
结型场效应晶体管，简称JFETB
绝缘栅型场效应晶体管，简称JFETC
结型场效应晶体管JGFETD
绝缘栅型场效应晶体管JGFET