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单选题
绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
A

P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B

增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

C

N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D

N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

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考题 遮拦分为（）几种。A、栅遮拦B、标示牌C、绝缘挡板D、绝缘罩
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考题 遮栏分为（）几种。A、栅遮栏B、标示牌C、绝缘挡板D、绝缘罩
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考题 绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
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考题 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
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考题 绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
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考题 场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
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考题 场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
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考题 更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
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考题 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
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考题 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
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考题 问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 判断题绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A 对B 错
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考题 单选题某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A 耗尽型管B 增强型管C 绝缘栅型D 无法确定
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考题 填空题请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 判断题场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。A 对B 错
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考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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考题 填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
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考题 填空题场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
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考题 单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）A 结型场效应晶体管，简称JFETB 绝缘栅型场效应晶体管，简称JFETC 结型场效应晶体管JGFETD 绝缘栅型场效应晶体管JGFET
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