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判断题
pn结平衡时,势垒区(即空间电荷区)内电子(或空穴)的扩散和漂移相抵消,整个pn结出现统一的费米能级。
A

B


参考答案

参考解析
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考题 PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。()

考题 PN结加正向电压时,()。A、扩散运动大于漂移运动B、扩散运动小于漂移运动C、扩散运动与漂移运动平衡D、没有运动

考题 PN结加上反向电压时,其PN结的宽度(或空间电荷区)会()。 A、变窄B、变宽C、不变

考题 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时,即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时,它呈___状态,当外加电压与内电场的方向相同时,它将呈___状态,即___具有单向导电性。A、PN结;导通,截止;PN结B、晶体管;截止,导通;PN结C、晶体管;导通,截止;晶体管D、PN结;截止,导通;晶体管E、晶体管;截止,导通;晶体管

考题 PN结加反向电压(数值小于击穿电压)时:()。A、空间电荷区变宽,漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄,漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄,扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽,扩散运动大于漂移运动

考题 PN结空间电荷区是()。A、电子和空穴构成;B、正电荷和负电荷构成;C、施主离子;D、施主杂质原子和受主杂质原子构成。

考题 关于PN结的单向导电原理中,以下哪个描述正确()A、空间电荷区有利于扩散运动,不利于漂移运动B、空间电荷区有利于漂移运动,不利于扩散运动C、当PN结两侧加正向电压时,空间电荷区变厚D、当PN结两侧加反向电压时,空间电荷区变薄

考题 PN结加反向电压时,空间电荷区将变宽还是变窄?

考题 在达到动态平衡的PN结内、漂移运动和扩散运动不再进行。()

考题 当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变

考题 当PN结及附近被光照时,若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对,在内电场作用下,电子、空穴分别漂移到()和(),使P端电势()N端电势(),以下正确的是()A、P区;N区;升高;降低B、N区;P区;升高;降低C、N区;P区;降低;升高D、P区;N区;降低;升高

考题 PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。

考题 PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将(),PN结中()电流占优势。

考题 PN结正向偏置时,空间电荷区将变()。

考题 PN结形成后,空间电荷区由()构成。A、价电子B、自由电子C、空穴D、杂质离子

考题 当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄,当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽

考题 和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变();当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变()

考题 当PN结反向工作时,其结电容主要是()A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存

考题 单选题关于PN结的单向导电原理中,以下哪个描述正确()A 空间电荷区有利于扩散运动,不利于漂移运动B 空间电荷区有利于漂移运动,不利于扩散运动C 当PN结两侧加正向电压时,空间电荷区变厚D 当PN结两侧加反向电压时,空间电荷区变薄

考题 判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A 对B 错

考题 填空题PN结总的电容应该包括势垒电容和()之和。

考题 填空题势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。

考题 填空题当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

考题 问答题PN结加反向电压时,空间电荷区将变宽还是变窄?

考题 问答题PN结的空间电荷区是如何形成的?

考题 填空题PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。

考题 单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A 复合电流B 漂移电流C 扩散电流D 漏电流