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问答题
在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？

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考题 按照电力电子器件内部自由电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为( )。A、简单型器件B、单极型器件C、双极型器件D、复合型器件
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考题 IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
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考题 晶体三极管和MOS管是同一个器件
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考题 下列全控型电力电子器件中属于双极型器件有（）。A、GTRB、GTOC、SITD、SITH
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考题 MOS管的栅极可与双极型三极管的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射集D、发射极或集电极
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考题 MOS管的栅极与双极型三极管的相对应（）A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
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考题 随机存储器包含（）几类。A、双极型B、MOS型C、掩模型D、快闪型
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考题 双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此（）就是由双极型半导体构成。
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考题 MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
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考题 双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
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考题 MOSFET属于双极型器件。
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考题 常用的电子开关有（）。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管
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考题 场效应管属于（）型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是（）型器件。
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考题 双极型三极管是（）控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加（）偏置，集电结需要加（）偏置。场效应管是（）控制器件。
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考题 双极型三极管是（）控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加（）偏置电压，集电极需要加（）偏置电压；场效应管是（）控制器件。
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考题 电力电子器件GTR为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
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考题 电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
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考题 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
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考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
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考题 多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
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考题 填空题双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此（）就是由双极型半导体构成。
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考题 判断题MOSFET属于双极型器件。A 对B 错
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考题 问答题MOS器件中用的最多的是哪种方向晶向，双极型用的最多的是哪几种？
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考题 判断题用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A 对B 错
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考题 多选题电力电子器件GTR为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
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考题 问答题MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换，双极型器件是否也具有同样的特点？若没有，请说明原因。
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