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问答题
MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换,双极型器件是否也具有同样的特点?若没有,请说明原因。

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考题 静态随机存储器可以用双极型器件构成,也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比,下面哪一项不是它的特点( )A.工艺较简单B.集成度较低C.存取速度低D.功耗比较大

考题 按照电力电子器件内部自由电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为( )。A、简单型器件B、单极型器件C、双极型器件D、复合型器件

考题 场效应管从结构上看,源区和漏区是对称的,所以漏极和源极可以互换使用。() 此题为判断题(对,错)。

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考题 构成反馈通路的元件()。A、只能是电阻B、只能是晶体管、集成运放等有源器件C、只能是无源器件器件D、可以是无源元件,也可以是有源器件

考题 MOSFET属于双极型器件。

考题 场效应管属于()型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是()型器件。

考题 场效应管是一种()A、电压控制器件B、电流控制器件C、双极型器件D、少子工作的器件

考题 下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

考题 电力电子器件GTR为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 电力电子器件P-MOSFET为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。

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考题 多选题电力电子器件P-MOSFET为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

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考题 问答题MOS器件中用的最多的是哪种方向晶向,双极型用的最多的是哪几种?

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考题 单选题在短沟道MOS器件中,当器件工作在饱和区,源漏电压升高,会使源漏电流()A 增大B 减小C 不变D 先减小后增大

考题 问答题说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

考题 填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为()

考题 单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A 是电压驱动型器件B 也称为绝缘栅极双极型晶体管C 属于全控型器件D 三个极为漏极、栅极和源极