名词解释题LOCOS

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LOCOS

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考题在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体A、栅氧化层B、沟槽C、势垒D、场氧化层

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考题填空题对于CMOS集成电路，通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式，如LOCOS（）或STI（）

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考题名词解释题LOCOS

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考题问答题简述LOCOS隔离原理。

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考题问答题什么是LOCOS和STI（写中英文全称），为什么在高级IC中STI取代了LOCOS，列举STI的工艺步骤。

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考题填空题选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。

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