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单选题
硅光电三极管偏置电压为零，现在逐渐增强其光照度，则此时光电三极管集电极电流的变化为（）
A

电流不断增大

B

电流逐渐减小

C

电流逐渐增大，到一定程度后趋于稳定

D

电流大小始终为零

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考题 若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管()。 A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大
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考题 三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
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考题 为了使三极管具有正常的电流放大作用，都必须外加大小和极性适当的电压，即必须给发射结加正向偏置电压，给集电极加反向偏置电压。（）
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考题 固定偏置共发射极放大电路中，三极管工作在放大区，如果将Rc增大，此时三极管为放大状态，则集电极电流Ic将：（）A.显著减小 B.不变 C.显著增加 D.无法确定
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考题 若三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减少时，使该三极管（）A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流要增大D、集电极电流不变
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考题 要使三极管具有正常的电流放大作用，必须在其（）上加正向偏置电压。A、集电极B、发射极C、基极D、正极
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考题 在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使三极管（）。A、集电极电压UCE上升B、集电极电压UCE下降C、基极电流不变D、无法确定
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考题 从三极管的特性曲线上看，工作在截止区的三极管其特点是（）。A、发射结和集电结上都是反向电压，集电极电流近似为零B、发射结上为反向电压，集电结上为正向电压，集电极电流近似为零
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考题 晶体三极管处于放大状态时，其集电极电流受i（）控制。A、电源电压UccB、集电极电压UCBC、基极电流iB
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考题 光电二极管光电三极管通称为（）晶体管。A、光电B、稳压C、开关D、变容
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考题 为使三极管具有电流放大作用，使用时应给三极管加怎样的偏置电压？
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考题 对于光电管的基本特性，下面说法正确的是（）。A、当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。C、在零偏压时，二极管和三极管都没有光电流输出。D、温度变化对光电管的光电流影响很小，而对暗电流影响很大。E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。
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考题 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变（）；若负载电阻RL变小时，其电压增益将变（）
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考题 三极管的集电极反向偏置，基极开路，（）之间的反向电流叫做穿透电流。
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考题 NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）A、集电极对发射极的电压VCE下降B、基极电流增大C、集电极对发射极的电压VCE上升
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考题 固定偏置共射放大电路，如果电源电压为10V，基极偏置电阻为200kΩ，集电极电阻为1kΩ，三极管的β＝100，则三极管的静态电压UCE为（）A、2VB、4VC、5VD、7V
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考题 问答题光电三极管与普通三极管有什么不同？为什么说光电三极管比光电二极管输出电流可以大很多？
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考题 单选题（）的灵敏度最高。A 光电二极管B 光敏电阻C 光电三极管D 硅光电池
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考题 单选题在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（）。A 集电极电压Uce上升B 集电极电压Uce下降C 基极电流不变
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考题 单选题硅光电池在（）情况下有最大的电流输出。A 开路B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置
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考题 单选题用光电法测量某高速转轴的转速时，最好选用（）为光电接收器件。A PMTB CdS光敏电阻C 2CR42硅光电池D 3DU型光电三极管
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考题 单选题硅光电池在（）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置
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考题 单选题“光电二极管与光电池相比较，其特性有所不同，下列的说法不不正确的是（）A 它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较低，而光电二极管掺杂浓度高B 它们的电阻率不同，光电池的电阻率低C 工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而硅光电二极管通常在反向偏置下工作D 它们的光电流的大小不同，硅光电二极管的光电流小得多，通常在微安级
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考题 问答题光电三极管集电极的作用？
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考题 单选题硅光电池在（）偏置时，其光电流与入射辐射量有良好的线性关系，且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置
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考题 单选题从三极管的特性曲线上看，工作在截止区的三极管其特点是（）。A 发射结和集电结上都是反向电压，集电极电流近似为零B 发射结上为反向电压，集电结上为正向电压，集电极电流近似为零
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考题 单选题灵敏度最高的光电器件是（）A 光电二极管B 光敏电阻C 光电三极管D 硅光电池
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