网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
问答题
为什么基区薄层电阻需要修正?

参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “问答题为什么基区薄层电阻需要修正?” 相关考题
考题 Vapp=VREF+△VREF+风修正(当需要时)关于风的修正()A、△VREF≥20kt不需要风修正B、△VREF Vapp=VREF+△VREF+风修正(当需要时)关于风的修正()A、△VREF≥20kt不需要风修正B、△VREFC、A和B

考题 在对()剖面分层方面,侧向测井较其他测井效果好。 A、砂泥岩B、低电阻率厚层C、高电阻率厚层D、高电阻率薄层

考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合

考题 绕组绝缘中的微孔和薄层间隙容易吸潮,使绝缘电阻()。

考题 在音响信号回路中,光字信号回路为什么需要安装串、并联电阻?

考题 立罐为什么需要VTF修正?

考题 我们可以通过简单的结深测量和()测量来获得扩散层的重要信息。A、横向电阻B、平均电阻率C、薄层电阻D、扩展电阻

考题 薄层色谱鉴别中为什么要采用阴性对照试验?

考题 在光字信号回路中为什么需要安装串、并联电阻?

考题 温度计视值为什么要进行修正?怎样修正?

考题 为什么要对初拟灌水模数图作必要的修正?如何修正?

考题 晶体管热噪声主要存在于()电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区

考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合

考题 叙述晶体三极管电流的传输过程()。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子,在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程

考题 造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。()A、基区电导调制效应,发射区有偏压效应B、基区有偏压效应,发射区电导调制效应C、基区电导调制效应,基区有偏压效应D、发射区有偏压效应,基区有偏压效应

考题 在浙江,一月份的接地电阻修正系数应该比六月份的接地电阻修正系数()。A、大B、小C、相等

考题 分析说明为什么使用LED需要接限流电阻,当高电平为+5V时,正常点亮一个LED需要多大阻值的限流电阻(设LED的正常工作电流为10mA,导通压降为0.6V),为什么?

考题 为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄?

考题 请说明为什么使用LED需要接限流电阻,当高电平为+5V时,正常点亮一个LED需要多大阻值的限流电阻(设发光LED的正常工作电流为5~15mA,取10mA,点亮为1.7V),为什么?

考题 填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将()全部占据时,集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是()基区宽度、()基区掺杂浓度。

考题 填空题基区渡越时间是指()。当基区宽度加倍时,基区渡越时间增大到原来的()倍。

考题 问答题简述基区扩散电阻最小条宽的设计受到三个限制

考题 名词解释题方块电阻(薄层电阻)

考题 问答题什么是基区宽变效应,基区宽变效应受哪些因素影响?

考题 填空题晶体管的基区输运系数是指()电流与()电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生(),从而使基区输运系数()。为了提高基区输运系数,应当使基区宽度()基区少子扩散长度。

考题 问答题薄层色谱鉴别中为什么要采用阴性对照试验?

考题 填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个(),它对少子在基区中的运动起到()的作用,使少子的基区渡越时间()。