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名词解释题
平衡载流子和非平衡载流子

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考题 三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
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考题 电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率 B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度 C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率 D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
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考题 PN宽度稳定后，（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动
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考题 PN结的宽度稳定后（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡
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考题 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
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考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
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考题 PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
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考题 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
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考题 三极管工作时，发射极发射载流子，（）输送和控制载流子，（）是收集载流子。
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考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
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考题 晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
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考题 三极管的集电区的作用是（）。A、发射载流子B、输送和控制载流子C、收集载流子D、控制载流子
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考题 单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；B p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C 平衡载流子破坏原来的热平衡；D 非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
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考题 填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
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考题 单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为（ ）。A 载流子在耗尽区的漂移时间过长B 将光信号转换为电信号的效率太低C 其所加的反向偏置电压过大D 其注入的非平衡载流子扩散过快
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考题 名词解释题非平衡载流子的产生
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考题 名词解释题非平衡载流子
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考题 问答题什么是非平衡载流子？请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。
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考题 名词解释题平衡载流子浓度
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考题 单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A 非平衡载流子浓度成正比；B 平衡载流子浓度成正比；C 非平衡载流子浓度成反比；D 平衡载流子浓度成反比。
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考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，（），稳态法（间接法）。
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考题 单选题一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。A 1/4；B 1/e；C 1/e2；D 1/2
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考题 问答题测试非平衡少数载流子数目的方法？
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