考题
直接转换FPD利用的光导半导体材料是A、非晶硅B、非晶硒C、CslD、PSLE、非晶碳
考题
直接转换FPD利用的光导半导体材料是A.非晶桂B.非晶砸C.CslD.PSLE.非晶碳
考题
在金属晶体缺陷中，属于面缺陷的有（）。A、间隙原子B、位错，位移C、晶界，亚晶界D、缩孔，缩松
考题
用于太阳能电池的半导体材料有（）A、单晶硅B、多晶硅C、非晶硅D、微晶硅
考题
非晶硅半导体有什么特点？非晶硅是哪种半导体？
考题
包装标识的质量缺陷分为A、B两类，其中A类质量缺陷都有哪些？
考题
实际金属中存在有（）、（）、（）缺陷。其中，位错是（）缺陷，晶界是（）缺陷。
考题
在品体的缺陷中，有线缺陷和面缺陷，其中线缺陷有（）A、位错B、晶界C、空位D、异质原子
考题
实际金属晶体结构中的晶界属于晶体缺陷中的（）。A、点缺陷B、线缺陷C、面缺陷D、宏观缺陷
考题
在晶体缺陷中，属于点缺陷的有（）。A、间隙原子B、位错C、晶界D、缩孔
考题
晶界、亚晶界是实际晶体材料晶体缺陷中的（）A、面缺陷B、体缺陷C、线缺陷D、点缺陷
考题
晶体中的晶界属于（）A、点缺陷B、线缺陷C、面缺陷D、体缺陷
考题
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
考题
半导体器件应用中需要哪些保护？都有什么手段？
考题
试比较说明金属热电阻和半导体热敏电阻的异同。常用热电阻都有哪些？
考题
半导体中的空穴是（）A、半导体晶格中的缺陷B、电子脱离共价键后留下的空位C、带正电的离子
考题
晶体中的面缺陷主要是指（）A、空位B、位错C、晶界D、间隙原子E、亚晶界
考题
单选题在金属晶体缺陷中，属于面缺陷的有（）。A
间隙原子B
位错，位移C
晶界，亚晶界D
缩孔，缩松
考题
问答题何谓矿物？其划分都有哪些晶族和哪些晶系？
考题
问答题半导体器件应用中需要哪些保护？都有什么手段？
考题
判断题半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。A
对B
错
考题
单选题晶界、亚晶界是实际晶体材料晶体缺陷中的（）A
面缺陷B
体缺陷C
线缺陷D
点缺陷