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单选题
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
A

大于

B

等于

C

小于

D

有效的复合中心


参考答案

参考解析
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考题 P型半导体中空穴数量远比电子多得多,因此该半导体应( )。 A、带正电B、带负电C、不带电

考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对,错)。

考题 在半导体中存在两种导电的带电粒子,即()。A.带负电的自由电子B.带正电的自由电子C.带正电的空穴D.带负电的空穴

考题 在半导体中,自由电子带()电,空穴带()电。

考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于( )。《》( )A.满带中 B.导带中 C.禁带中,但接近满带顶 D.禁带中,但接近导带底

考题 N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

考题 与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是()。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴,导带中总是有电子D、禁带宽度较窄

考题 P型半导体中空穴多于电子,说明P型半导体带正电。

考题 在半导体中存在两种导电的带电粒子,即()。A、带负电的自由电子B、带正电的自由电子C、带正电的空穴D、带负电的空穴

考题 半导体中空穴带正电,电子带负电。

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

考题 N型半导体带有很多()。A、带正电量的空穴B、带负电量的空穴C、带正电量的自由电子D、带负电量的自由电子

考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于()。A、满带中B、导带中C、禁带中,但接近满带顶D、禁带中,但接近导带底

考题 问答题N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子,同时向导带提供电子,使半导体成为电子导电的()型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子,同时向价带提供空穴.使半导体成为空穴导电的()型半导体。

考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。

考题 单选题半导体中施主能级的位置位于()中。A 禁带B 价带C 导带D 满带

考题 单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带,导带B 价带,禁带C 禁带,导带D 导带,价带

考题 判断题P型半导体中空穴多于电子,说明P型半导体带正电。A 对B 错

考题 单选题对于N型半导体来说,以下说法正确的是()A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶

考题 单选题半导体中施主能级的位置位于()。A 禁带B 满带C 导带D 价带

考题 单选题N型半导体的费米能级处于禁带()。A 中间B 上部C 下部D 不确定.

考题 单选题半导体中受主能级的位置位于()中。A 禁带B 价带C 导带D 满带

考题 单选题对于P型半导体来说,以下说法正确的是()A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶

考题 问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?

考题 问答题以在Ge半导体掺入As为例,简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近?