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填空题
小注入条件是指注入某区边界附近的()浓度远小于该区的()浓度,因此该区总的多子浓度中的()多子浓度可以忽略。

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考题 要求配制的消泡剂浓度及注入量?

考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

考题 采用氮气防灭火时,为什么注入的氮气浓度不得小于97%?

考题 采用氮气防灭火时,注入的氮气浓度不小于多少?

考题 酸度是指溶液中的()。A、OH-的浓度B、H+的浓度C、酸的总浓度

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考题 酸的浓度是指()。A、溶液中酸的总浓度B、溶液中已离解酸的浓度C、溶液中H+的浓度

考题 含水回升阶段的生产特点是:含水回升、产油量下降、产液浓度和()在高的水平上稳定。A、注入压力B、吸水指数C、注入液浓度D、注水量

考题 在聚合物用量相同的情况下,阶梯浓度段塞注入方案与整体浓度注入方案相比其驱油效果()。A、相同B、前者优于后者C、后者优于前者D、与注入浓度段塞的组合无关

考题 将聚合物配制站输来的()母液加压后,在静态混合器中与低矿化度脱氧水混合,按照注入油藏性质的需求,配制的注入剂称为聚合物溶液。A、高浓度B、低浓度C、注入剂D、混合

考题 PPM浓度指的是()分之一,假设一个井口平台的产油为6000方,综合含水为10%,指定药剂注入浓度为20PPM,那么每天的注入量是()升。

考题 矿浆浓度大时,可以向池中注入()。

考题 煤矿爆破中的“一炮三检”制度是指()。A、装药前检查爆破地点附近的瓦斯浓度B、钻孔前检查爆破地点附近的瓦斯浓度C、爆破前检查爆破地点附近的瓦斯浓度D、钻孔后检查爆破地点附近的瓦斯浓度E、爆破后要检查爆破地点附近的瓦斯浓度

考题 温度升高,本征载流子浓度();杂质半导体中少子浓度(),多子浓度()

考题 杂质半导体中()的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴

考题 杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。

考题 填空题晶体管的注入效率是指()电流与()电流之比。为了提高注入效率,应当使()区掺杂浓度远大于()区掺杂浓度。

考题 问答题采用氮气防灭火时,为什么注入的氮气浓度不得小于97%?

考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A 载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

考题 单选题半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()A 多子---少子---少子;B 少子---多子---多子;C 多子---多子---多子D 少子---少子---少子。

考题 填空题矿浆浓度大时,可以向池中注入()。

考题 填空题大注入条件是指注入某区边界附近的()浓度远大于该区的()浓度,因此该区总的多子浓度中的()多子浓度可以忽略。

考题 多选题煤矿爆破中的“一炮三检”制度是指()。A装药前检查爆破地点附近的瓦斯浓度B钻孔前检查爆破地点附近的瓦斯浓度C爆破前检查爆破地点附近的瓦斯浓度D钻孔后检查爆破地点附近的瓦斯浓度E爆破后要检查爆破地点附近的瓦斯浓度

考题 问答题采用氮气防灭火时,注入的氮气浓度不小于多少?