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问答题
简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。
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考题
经机械加工的表面层自表向里依次为______。
A.吸附气体层→污染层→氧化层→加工硬化层→基体B.污染层→吸附气体层→氧化层→加工硬化层C.污染层→吸附气体层→加工硬化层→氧化层→基体D.吸附气体层→污染层→加工硬化层→氧化层→基体
考题
填空题单晶硅太阳能电池采用（）表面来增加表面积，用沉积Si3N4作（）膜来降低入射光的反射，用在扩散层表面氧化生长（）nm的钝化层，改变表面层硅原子价键失配，减少表面复合，提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时，反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的（）
考题
问答题热生长氧化物和CVD氧化物的本质区别是什么？
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