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填空题
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。

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考题 所谓三极管输出特性曲线中的线性区域是指哪个区？( )A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.过损耗区
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考题 三极管的输出特性曲线可分为三个区（）。A、饱和区B、截止区C、放大区D、工作区
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考题 晶体三极管的输出特性的工作状态分为三个区，发射结（）偏压是截止区，集电节（）偏压是饱和区，欲使三极管具有放大作用，应使三极管工作在输出特性上的（）
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考题 晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和（）三个区域。
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考题 在输出特性曲线上，满足IC=HFEIB关系的区域是：（）.A、放大区B、截止区C、饱和区D、击穿区
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考题 由输出特性曲线可知，晶体管有（）、放大区、饱和区三个区域。
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考题 根据三极管输出特性，曲线可分为（）区域。A、放大区B、截止区C、饱和区D、容抗
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考题 半导体三极管的输出特性曲线可划分为三个工作区域（）、（）、（）。
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考题 晶体三极管输出特性中包括三个工作区，分别是（）区、（）区、（）区。
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考题 在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的（）区。
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考题 三极管的输出特性曲线分为（）区域，三极管放大器处于截止区的条件是（）。
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考题 晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）。A、iCB、uCEC、iBD、iE
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考题 三极管输出特性的三个区域为（）、（）和（）。
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考题 根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。
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考题 所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、过损耗区
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考题 双极型三极管输出特性的三个区域分别是（）区、（）区、（）区。
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考题 场效应管输出特性的三个区域分别是（）区、（）区、（）区。
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考题 场效应管的输出特性曲线又称漏极特性曲线。它是指（）一定时，（）与（）这间的关系曲线，它可划分为（）、（）和（）三个区域。
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考题 在晶体管的输出特性中有三个区域分别是（）、（）、（）。
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考题 MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
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考题 三极管的输出特性分成哪三个区域？它们各自的特点是什么？
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考题 基本放大电路的输出特性分为三个区域，包括（）A、截止区B、放大区C、死区D、饱和区
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考题 在晶体管的输出特性中有三个区域分别是截止区、（）和（）。
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考题 三极管的输出特性曲线可分成三个区域即（）。A、放大区、饱和区、截止区B、放大区、饱和区、短路区C、放大区、导通区、截止区D、放大区、饱和区、断路区
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考题 单选题所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。A 放大区B 饱和区C 截止区D 过损耗区
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考题 多选题根据三极管输出特性，曲线可分为（）区域。A放大区B截止区C饱和区D容抗
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