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简述减小NPN晶体管中的集电极串联电阻rCS的方法

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考题 晶体管放大电路中,集电极电阻Rc的主要作用是向三极管提供集电极电流。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 解决放大器截止失真的方法是（）。A、增大上偏电阻B、减小集电极电阻RCC、减小偏置电阻D、增大下偏电阻
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考题 在晶体管共射极交流基本放大电路中，集电极负载电阻的作用是（）。A、将集电极电流的变化转为电压的变化B、将集电极反向偏置C、限制基极电流D、限制集电极电流
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考题 欲使某NPN放大管从饱和状态进入放大状态可采取（）电阻的方法。A、减小上偏置B、减小下偏置C、减小射极D、加大集电极
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考题 在共发射极放大电路中,集电极电阻Rc的主要作用是（　）。A、输出端接负载时减小输出电阻B、将电流放大转变为电压放大C、将电压放大转变为电流放大D、避免集电极电流过大烧毁晶体管
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考题 解决放大器截止失真的方法是（）。A、增大上偏电阻B、减小集电极电阻RCC、减小上偏电阻D、降低工作电压
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考题 在晶体管放大电路中，串联负反馈会使放大器的（）。A、放大倍数提高B、放大倍数下降C、输入电阻增大D、输入电阻减小E、输入电阻不变
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考题 晶体管特性图示仪的功耗限制电阻相当于晶体管放大电路的（）电阻。A、基极B、集电极C、限流D、降压
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考题 用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时，基极阶梯信号的极性开关应置于“+”，集电极扫描电压极性开关应置于“-”。
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考题 在NPN型晶体三极管放大电路中，基极与发射极短路，则晶体管（）A、深度饱和B、将截止C、集电极正偏D、发射结反偏
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考题 解决交流放大器截止失真的方法是（）。A、增大上偏置电阻B、减小上偏置电阻C、减小集电极电阻RCD、增大集电极电阻
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考题 晶体管串联稳压电路是将晶体管作为一个可变电阻串联在负载回路中。
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考题 根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 晶体管放大电路中，集电极电阻RC的主要作用是向三极管提供集电极电流。（）
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考题 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
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考题 在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（）A、集电极电位一定最高B、集电极电位一定最低C、发射极电位一定最高D、基极电位一定最低
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考题 由NPN管组成的单级共发射电路，当集电极电阻Rc增大时，工作点Q的ICQ和VCEQ的变化是（）A、ICQ增大、VCEQ增大B、ICQ增大、VCEQ减小C、ICQ不变、VCEQ减小D、ICQ不变、VCEQ不变
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考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）A、晶体三极管将深度饱和B、晶体三极管将截止C、晶体三极管的集电极将正偏
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考题 对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，同时在基极上也施加正电压，那么（）。A、集电极电流导通B、基极电流导通C、发射极电流导通D、电流都不导通
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考题 对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子（）。A、朝基极侧移动B、朝集电极侧移动C、不动D、在发射极处无序运动
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考题 JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中，功耗限制电阻的作用是（）A、限制集电极功耗B、保护晶体管C、把集电极电压变化转换为电流变化D、限制集电极功耗，保护被测晶体管
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考题 有关NPN晶体管的描述错误的是（）A、如果晶体管中基极电流不流通，则集电极电流不流通B、光电晶体管有一个特性，即在有光照射时切断电流C、晶体管可以用作开关D、晶体三极管具有放大电流的功能
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考题 对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴（）。A、朝集电极侧移动B、朝发射极侧移动C、不动D、在基极处无序运动
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考题 用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时，基极阶梯信号的极性开关应置于“+”，集电极扫描电压极性应置于“-”。
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考题 晶体管三极管基本电路中，共集电极电路输入电阻最大。
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考题 单选题在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）A 晶体三极管将深度饱和B 晶体三极管将截止C 晶体三极管的集电极将正偏
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