考题
关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
考题
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
考题
在PIN光电二极管中,P型材料和N型材料之间加一层轻掺杂的N型材料,称为()
考题
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
考题
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
考题
诊断胆道疾病首选酶（）A、ALPB、GGTC、LDD、ALTE、AST
考题
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
（）不是CTUD的输入端子。A、CDB、CUC、LDD、PV
考题
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
考题
系统备份文件的5个子文件中用于存贮DS的子文件是（）.A、SDDB、LDD1C、LDD2D、PS
考题
APZ21240的自动大备份时候，下述哪些文件会被更新？（）A、BUINFOB、SDDC、LDD1D、LDD2E、PSF、RS
考题
在PIN光电二极管中，P型材料和N型材料之间加一层轻掺杂的N型材料，称为（）层。
考题
根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
考题
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
考题
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A
与掺杂浓度和温度无关B
只与掺杂浓度有关C
只与温度有关D
与掺杂浓度和温度有关
考题
判断题NMOS源漏城需进行N+型掺杂。A
对B
错
考题
问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？
考题
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
考题
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
考题
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A
温度越高，掺杂越快B
温度越低，掺杂越快C
温度恒定，掺杂最快D
掺杂快慢与温度无关
考题
判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A
对B
错
考题
填空题在PIN光电二极管中，P型材料和N型材料之间加一层轻掺杂的N型材料，称为（）层。
考题
单选题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）A
P+、P+B
P+，N+C
N+，N+D
N+，P+
考题
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。