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问答题
在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？

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考题 为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？
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考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
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考题 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区
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考题 在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
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考题 在焊接结极工艺过程设计程序中，综合工艺过程分析的结果，从而提出制造产品的工艺原则和主要技术措施，对重大问题作出明确规定的过程称为（）A、设计准备B、工艺过程分析C、批定工艺方案D、编制工艺方案
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
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考题 PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
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考题 结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
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考题 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
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考题 为什么PN结具有单向导电性（）。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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考题 问答题简述轻掺杂漏（LDD）工艺目的。
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考题 名词解释题轻掺杂漏（LDD）
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考题 问答题为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？
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考题 单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A 刻蚀B 离子注入C 光刻D 金属化
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考题 单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A 扩散B 化学机械抛光C 刻蚀D 离子注入
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考题 填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
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考题 填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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考题 问答题什么叫“结尖刺效应”，集成电路工艺中如何避免铝的结尖刺效应？
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考题 单选题半导体中的少数载流子产生的原因是（）A 外电场B 内电场C 掺杂D 热激发
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考题 填空题集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。
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考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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