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单选题
在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。
A

稳定区

B

第一介稳区

C

第二介稳区

D

不稳定区

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 整个结晶过程都必须将过饱和度控制在（）内。A、不稳区B、稳定区C、亚稳区D、成核区
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，自发成核区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 结晶初级成核速度N＝Ae－△Gmax/（RT），△Gmax＝16πV2mσ3/3（RTlnα）2，从公式可得到（）。A、在温度不变的情况下，饱和溶液不能自动成核B、过饱和度越高，成核中速度越高C、温度越高，成核速度也越高D、成核速度受温度和过饱和度综合影响
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 填空题在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。
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考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区
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考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区
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考题 多选题根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
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