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场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）

参考答案

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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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考题 ( )是所有影响量均保持恒定,仅由电压源变化所引起的输出电压变化的效应。 A.源电压范围B.源电压效应C.负载效应D.源功率因数
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考题 某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
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考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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考题 电源电压不随负载变化称为（），输出的电流不随负载变化称为（）。A、信号源B、电压源C、电流源D、电源
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考题 电源电压不随负载变化的称（）。A、电压源B、电流源C、电源D、电压
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考题 泄漏电流试验时，在直流电压的作用下，流过电缆绝缘的泄漏电流随时间而变化。
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考题 电子管栅负压是加在栅阴极之间的工作电压，有控制屏流的作用。
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考题 实际电源的端电压随着电流变化而变化，因此可用一个电阻与理想电压源的串联来等效。
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考题 漏电断路器经常自行分断的原因有（）。A、漏电动作电流变化B、线路有漏电C、断路器故障D、电压低
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考题 怛流源是当负载电阻大幅度变化时，其端电压也随之变化，而保持流过负载的电流不变，因此它是一个内阻很大的电源。
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考题 场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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考题 一般情况下这些变化都可以从避雷器的哪几种电气参数的变化上反映出来（）A、在运行电压下，泄漏电流阻性分量峰值的绝对值增大B、在运行电压下，泄漏电流谐波分量明显增大C、运行电压下的有功损耗绝对值增大D、运行电压下的总泄漏电流的绝对值增大，但不一定明显
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考题 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
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考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
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考题 功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压
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考题 场效应管在恒流区，iD主要由栅源电压uGS决定。
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考题 （）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管；B、晶体三极管；C、场效应晶体管；D、双向晶闸管。
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
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考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
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考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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考题 单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）A 结型场效应晶体管，简称JFETB 绝缘栅型场效应晶体管，简称JFETC 结型场效应晶体管JGFETD 绝缘栅型场效应晶体管JGFET
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考题 单选题（）是所有影响量均保持恒定，仅由电压源变化所引起的输出电压变化的效应。A 源电压范围B 源电压效应C 负载效应D 源功率因数
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考题 单选题（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A 半导体二极管B 晶体三极管C 场效应晶体管D 双向晶闸管
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考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
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考题 判断题电子管栅负压是加在栅阴极之间的工作电压，有控制屏流的作用。A 对B 错
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