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应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

A.IP成像转换器
B.直接转换平板探测器
C.间接转换平板探测器
D.硒鼓检测器
E.多丝正比室检测器

参考答案

参考解析
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考题 应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.硒鼓检测器B.CR成像板(IP)C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
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考题 应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
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考题 FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是A、薄膜晶体管技术B、光敏照相机技术C、光电倍增管技术D、光激励发光技术E、非晶硒技术
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考题 关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同
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考题 FPD能够成为平板形状，主要是由于探测器的单元阵列采用的是A.薄膜晶体管技术B.光敏照相机技术C.光电倍增管技术D.光激励发光技术E.非晶硒技术
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考题 应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.砸鼓检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
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考题 FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是A.薄膜晶体管技术 B.光敏照相机技术 C.光电倍增管技术 D.光激励发光技术 E.非晶硒技术
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考题 关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）A、使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B、典型材料为非晶硒（a-SE.C、每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元D、非晶硒层直接将X线转换成电信号E、与非晶硅探测器的工作原理相同
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考题 属于DR成像直接转换方式的是（）A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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考题 属于DR成像直接转换方式的部件是（）A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
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考题 应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器
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考题 单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于（　　）。A 信号读出B 荧光材料层和探测元阵列层的不同C A/D转换D 信号输出E 信号放大
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考题 单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（　　）。A 非晶硅-非晶硒-CCDB CCD-非晶硅-非晶硒C 非晶硒-非晶硅-CCDD 非晶硅-CCD-非晶硒E CCD-非晶硒-非晶硅
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考题 单选题FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是（）.A 薄膜晶体管技术B 光敏照相机技术C 光电倍增管技术D 光激励发光技术E 非晶硒技术
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考题 单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）。A 硒鼓检测器B IP成像转换器C 直接转换平板探测器D 间接转换平板探测器E 多丝正比室检测器
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考题 单选题非晶硅平板探测器基本结构为（　　）。A 碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C 硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D 非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
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考题 单选题目前最常用的DR系统为（　　）。A CsI＋CCD阵列B 非晶硅平板探测器C 非晶硒平板探测器D 多丝正比电离室E 计算机X线摄影
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考题 单选题属于DR成像直接转换方式的是（）A 非晶硒平扳探测器B 碘化铯+非晶硅平扳探测器C 利用影像板进行X线摄影D 闪烁体+CCD摄像机阵列E 硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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考题 单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是（　　）。A 闪烁体B 非晶硒平板探测器C CCD摄像机阵列D 碘化铯＋非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵列探测器
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考题 多选题DSA非晶硅平板探测器的构成。（）A碘化铯构成的闪烁体层BCCD层C信号读出电路D石英玻璃衬体E非晶硅薄膜晶体管阵列层
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