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全蚀刻体系是指
A.能酸蚀釉质的制剂
B.能酸蚀牙本质的制剂
C.能酸蚀牙骨质的制剂
D.既酸蚀牙釉质又能酸蚀牙本质的制剂
E.既酸蚀牙釉质又能酸蚀牙骨质的制剂
B.能酸蚀牙本质的制剂
C.能酸蚀牙骨质的制剂
D.既酸蚀牙釉质又能酸蚀牙本质的制剂
E.既酸蚀牙釉质又能酸蚀牙骨质的制剂
参考答案
参考解析
解析：全蚀刻体系是指能同时酸蚀釉质和牙本质的制剂，其浓度和应用时间既要使釉质形成足够深度的微孔，又不会造成牙本质的过度脱矿。
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下列关于SCL的分装工序中,哪项顺序是正确的()。
A、蚀刻标记—萃取—水合—品控—染色—封口灭菌—贴标签B、蚀刻标记—水合—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签C、蚀刻标记—水合—萃取—染色—品控—封口灭菌—贴标签D、水合—蚀刻标记—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签
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单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
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单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
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