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（请给出正确答案）
全蚀刻体系是指（）
- A、能酸蚀釉质的制剂
- B、能酸蚀牙本质的制剂
- C、能酸蚀牙骨质的制剂
- D、既能酸蚀牙釉质又能酸蚀牙本质的制剂
- E、既能酸蚀牙釉质又能酸蚀牙骨质的制剂
参考答案
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考题
下列关于SCL的分装工序中,哪项顺序是正确的()。
A、蚀刻标记—萃取—水合—品控—染色—封口灭菌—贴标签B、蚀刻标记—水合—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签C、蚀刻标记—水合—萃取—染色—品控—封口灭菌—贴标签D、水合—蚀刻标记—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签
考题
所有蚀刻工具要么是针嘴的，要么是平刃的。但是，有些平刃的蚀刻工具用于雕刻，有些不是。另一方面，所有针嘴的蚀刻工具都用于雕刻。因此，用于雕刻的蚀刻工具比不用于雕刻的蚀刻工具多。如果以下哪项陈述为真，能合乎逻辑地得出上述论证的结论？（）A、大部分平刃的蚀刻工具不是用来雕刻的。B、所有不用于雕刻的蚀刻工具都是平刃的。C、针嘴的蚀刻工具与平刃的蚀刻工具一样多。D、没有蚀刻工具既是针嘴的，又是平刃的。
考题
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
考题
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
考题
多选题影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面（）。A等离子体蚀刻系统的形态B等离子体蚀刻的参数C光刻胶D待蚀刻薄膜的淀积参数条件
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