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抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加,包括

A:Na+,K+,尤其是K+
B:Ca2+,Cl-,尤其是Ca2+
C:Na+,Cl-,尤其是Na+
D:K+,Cl-,尤其是Cl-
E:K+,Ca2+,Na+,尤其是Ca2+

参考答案

参考解析
解析:抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl-(为主)和K+的通透性升高,引起Cl-的内流和K+的外流,使膜内负电位更负,引进突触后神经元产生抑制。
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考题 膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

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考题 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+

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考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

考题 抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加A.Na,K,尤其是K B.Ca,Cl,尤其是Ca C.Na,Cl,尤其是Na D.K,Cl,尤其是Cl E.K,Ca,Na,尤其是Ca

考题 A.Na B.Cl C.Mg D.Ca E.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

考题 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+

考题 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加,包括A.Na,K,尤其是K B.Ca,Cl,尤其是Ca C.Na,Cl,尤其是Na D.K,Cl,尤其是Cl E.K,Ca,Na,尤其是Ca

考题 兴奋性与抑制性突触后电位相同点是()。A、突触后膜电位去极化B、递质使后膜对某些离子通透性改变的结果C、都可向远端不衰减传导D、都与后膜对钠离子通透性降低有关

考题 兴奋性与抑制性突触后电位相同点是()A、突触后膜膜电位去极化B、是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果C、都可向远端不衰减传导D、都与后膜对Na通透性降低有关E、突触后膜膜电位超极化

考题 兴奋性与抑制性突触后电位相同点是:()A、突触后膜电位去极化;B、是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果;C、都可向远端传导;D、都与后膜对钠离子通透性降低有关

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