离子源是产生离子的装置。（）

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离子源是产生离子的装置。（）

参考答案

考题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

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考题为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？

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考题为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？

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考题在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）A、焊接电流、焊接电压和电极压力B、焊接电流、焊接时间和电极压力C、焊接电流、焊接电压和焊接时间

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考题什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。

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考题在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）A、干氧B、湿氧C、水汽氧化D、不能确定哪个使用的时间长

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考题厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。（）

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考题例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。

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考题离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。

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考题例举出硅片厂中使用的五种通用气体。

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