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为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？

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考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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考题 有关滤线栅的叙述，错误的是A.单位距离内，铅条与其间距形成的线对数即栅密度 B.栅条呈倾斜排列，半径相同，并聚焦于空间的为聚焦栅 C.滤线栅铅条高度与充填物幅度的比值为栅比 D.栅铅条纵轴排列的方位是相互平行的，称为线形栅 E.栅比值越低消除散射线的作用越好
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考题 有关滤线栅的叙述，错误的是（）A、单位距离内，铅条与其间距形成的线对数即栅密度B、栅条呈倾斜排列，半径相同，并聚焦于空间的为聚焦栅C、滤线栅铅条高度与充填物幅度的比值为栅比D、栅铅条纵轴排列的方位是相互平行的，称为线形栅E、栅比值越低消除散射线的作用越好
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考题 绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。
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考题 IGBT全称：绝缘栅形双极晶体管
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考题 横向金属栅片又称离子栅，它利用的是长弧灭弧的原理。
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考题 为了测得比栅距W更小的位移量，光栅传感器要采用（）技术。
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考题 绝缘栅双极性晶体管（IGBT）的特点有哪些？
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考题 什么是绝缘栅双极晶体管（IGBT）？它有什么特点？
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考题 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
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考题 绝缘栅双极晶体管的本质是一个（）。
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考题 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
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考题 绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些特点？
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考题 绝缘双栅双极晶体管的简称是（）。A、IGTB、PLCC、IBGTD、IGBT
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考题 绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
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考题 绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件。
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
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考题 斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。
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考题 单选题下列描述中，哪项是错误的？（　　）A 按结构分类，滤线栅又分为活动栅和静止栅B 栅密度表示在滤线栅表面上单位距离内，铅条与其间距形成的线对数，常用线/cm表示C 栅密度相同，栅比大的散射线消除效果好D 栅比值相同，栅密度大的散射线消除作用差E 栅比值越高其清除散射线的作用越好
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考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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考题 单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）A 结型场效应晶体管，简称JFETB 绝缘栅型场效应晶体管，简称JFETC 结型场效应晶体管JGFETD 绝缘栅型场效应晶体管JGFET
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考题 单选题下列描述中，哪项是错误的？（　　）A 按运动功能分类，滤线栅又分为活动栅和静止栅B 栅密度表示在滤线栅表面上单位距离内，铅条与其间距形成的线对数，常用线/cm表示C 栅密度相同，栅比大的散射线消除效果好D 栅比值相同，栅密度大的散射线消除作用差E 栅比值越高其清除散射线的作用越好
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考题 问答题为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？
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考题 问答题解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？
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考题 问答题为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序？
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考题 问答题为什么说栅长是MESFET的重要参数？
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考题 单选题有关滤线栅的叙述，错误的是（）A 单位距离内，铅条与其间距形成的线对数即栅密度B 栅条呈倾斜排列，半径相同，并聚焦于空间的为聚焦栅C 滤线栅铅条高度与充填物幅度的比值为栅比D 栅铅条纵轴排列的方位是相互平行的，称为线形栅E 栅比值越低消除散射线的作用越好
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