问题
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
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给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。
问题
低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
问题
解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？
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简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
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晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）
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位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）
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液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）