考题
晶体管型号第1部份中2表示是(),3表示是()。
考题
国产活塞式压缩机型号中“z”表示气缸排列为（）。
考题
国产射吸式焊柜型号中，“H”表示（）“O”表示（），“I” 表示（）。
考题
晶体管的型号第三部份中Z表示是（）、L表示是（）、S表示是（）、U表示是（）。
考题
晶体管型号第3部份中D表示是（）管、A表示是（）管、T表示上（）。
考题
晶体管的型号第2部分中对于三极管A表示是（）、B表示是（）C表示是（）、D表示是（）。
考题
国产二极管的命名与进口二极管的型号是一样的。
考题
国产接头的型号GY表示（）。A、内平接头B、贯眼接头C、正规接头D、配合接头
考题
光缆型号的命名分类代号“GY”表示通信用（）光缆。
考题
国产晶体管的外壳上，用数字和汉语拼音表示其型号，第一部分数字表示（）。A、电极数B、材料及极性C、类型D、产品的序列
考题
在电缆型号的命名方法中，内护套代号“L”表示（）护套。
考题
国产晶体二、三级管的型号命名由五部分组成，其中第二部分表示（）。A、晶体管的类型B、晶体管的材料和极性C、晶体管的序号D、晶体管的区别代号
考题
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
在光纤型号命名中，分类代号（）表示通信用特殊光缆。A、GYB、GTC、GHD、GM
考题
光缆型号的命名，加强构件代号“H”表示（）加强构件。
考题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
填空题光缆型号的命名，加强构件代号“H”表示（）加强构件。
考题
填空题国产交流发电机的型号JFZ表示（）交流发电机。
考题
填空题光缆型号的命名分类代号“GJ”表示通信用（）光缆。
考题
单选题国产晶体管的外壳上，用数字和汉语拼音表示其型号，第一部分数字表示（）。A
电极数B
材料及极性C
类型D
产品的序列
考题
填空题国产活塞式压缩机型号中“z”表示气缸排列为（）。