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在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
- A、晶圆顶层的保护层
- B、多层金属的介质层
- C、多晶硅与金属之间的绝缘层
- D、掺杂阻挡层
- E、晶圆片上器件之间的隔离
参考答案
更多 “在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离” 相关考题
考题
非同轴式高压电缆的结构，从内向外排列的正确顺序是A．半导体层→芯线→绝缘层→屏蔽层→保护层B．芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层C．屏蔽层→芯线→半导体层→绝缘层→保护层D．绝缘层→芯线→屏蔽层→半导体层→保护层E．保护层→屏蔽层→半导体层→绝缘层→芯线
考题
高压电缆的结构从内到外分为A．芯线、绝缘层、保护层B．芯线、绝缘层、半导体层C．芯线、保护层、金属网层D．芯线、绝缘层、半导体层、金属网层、保护层E．芯线、绝缘层、保护层、金属网层、半导体层
考题
高压电缆结构从内到外分A.芯线、保护层、半导体层、金属网层、绝缘层
B.芯线、半导体层、绝缘层、保护层、金属网层
C.芯线、半导体层、绝缘层、金属网层、保护层
D.芯线、绝缘层、保护层
E.芯线、绝缘层、半导体层、金属网层、保护层
考题
高压电缆的结构从内到外分为A.导电芯线、高压绝缘层、保护层
B.导电芯线、高压绝缘层、半导体层
C.导电芯线、保护层、金属屏蔽层
D.导电芯线、高压绝缘层、半导体层、金属屏蔽层、保护层
E.导电芯线、高压绝缘层、保护层、金属屏蔽层、半导体层
考题
同轴式高压电缆由内向外排列正确的是A.芯线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层
B.芯线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层
C.芯线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层
D.芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层
E.芯线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层
考题
同轴式高压电缆的结构从内向外排列，正确的是（）A、芯线、绝缘层、屏蔽层、半导体层、保护层B、芯线、绝缘层、半导体层、屏蔽层、保护层C、芯线、半导体层、绝缘层、屏蔽层、保护层D、芯线、屏蔽层、半导体层、绝缘层、保护层E、芯线、绝缘层、半导体层、保护层、屏蔽层
考题
集成电路的主要制造流程是（）A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
考题
高压电缆结构从内到外分（）A、芯线、绝缘层、保护层B、芯线、保护层、半导体层、金属网层、绝缘层C、芯线、绝缘层、半导体层、金属网层、保护层D、芯线、半导体层、绝缘层、金属网层、保护层E、芯线、半导体层、绝缘层、保护层、金属网层
考题
同轴高压电缆由内向外排列正确的是（ ）A、芯线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层B、芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层C、芯线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层D、芯线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层E、芯线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层
考题
单选题集成电路的主要制造流程是（）A
硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B
硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C
晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D
硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
考题
单选题同轴式高压电缆由内向外排列正确的是（）A
芯线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层B
芯线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层C
芯线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层D
芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层E
芯线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层
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