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晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。

参考答案

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考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
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考题 硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
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考题 当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
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考题 某一晶体管工作在放大状态,测得其三个极的电位分别为－ 0.7V、－1V、－6V,则下列说法错误的是()。 A.此晶体管为硅管B.- 0.7V为发射极C.-1V为基极D.此晶体管为PNP管
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考题 工作在放大状态的三极管，各极的电位应使三极管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结、集电结均反偏 D.发射结、集电结均正偏
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考题 工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结、集电结均反偏 D.发射结、集电结均正偏
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考题 设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
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考题 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7 B.0.5 C.0.3 D.0.1
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考题 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态。
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考题 晶体管处于截面状态时，其集电结（）偏，发射结（）偏。A、正；反B、反；正C、正；正D、反；反
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考题 晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
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考题 晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
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考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
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考题 当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。（）
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考题 当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无能确定
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考题 工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
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考题 晶体管工作在饱和区时，发射结（），集电结（）；工作在放大区时，集电结（），发射结（）。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
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考题 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
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考题 晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
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考题 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。
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考题 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
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考题 单选题工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A 发射结正偏，集电结反偏B 发射结反偏，集电结正偏C 发射结、集电结均反偏D 发射结、集电结均正偏
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考题 单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结反偏，集电结反偏C 发射结正偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏
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考题 多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
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考题 单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A 发射结反偏，集电结正偏B 发射结、集电结均反偏C 发射结、集电结均正偏D 发射结正偏，集电结反偏
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考题 单选题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。A 发射结正偏，集电结正偏B 发射结反偏，集电结反偏C 发射结正偏，集电结反偏D 发射结反偏，集电结正偏
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