考题
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
考题
当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。()
此题为判断题(对，错)。
考题
硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
考题
当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。
A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
考题
工作在放大状态的三极管，各极的电位应使三极管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结、集电结均反偏
D.发射结、集电结均正偏
考题
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结、集电结均反偏
D.发射结、集电结均正偏
考题
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7
B.0.5
C.0.3
D.0.1
考题
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
当晶体管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体管处于饱和状态。
考题
当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。
考题
晶体管的发射结正偏时，晶体管一定工作在放大状态。
考题
当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A、截止区B、放大区C、饱和区
考题
晶体管处于截面状态时，其集电结（）偏，发射结（）偏。A、正；反B、反；正C、正；正D、反；反
考题
晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
考题
晶体三极管的发射结正偏时，三极管一定工作在放大状态。
考题
晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
考题
三极管的发射结正偏、集电结正偏时，三极管处于放大状态。
考题
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
考题
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
考题
当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。（）
考题
当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无能确定
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
考题
晶体管工作在饱和区时，发射结（），集电结（）；工作在放大区时，集电结（），发射结（）。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
考题
当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。
考题
单选题工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A
发射结正偏，集电结反偏B
发射结反偏，集电结正偏C
发射结、集电结均反偏D
发射结、集电结均正偏
考题
单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A
发射结正偏，集电结正偏B
发射结反偏，集电结反偏C
发射结正偏，集电结反偏D
发射结反偏，集电结正偏
