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多选题
晶体管的PN结的正向压降为()。
A

锗管为0.3V左右

B

锗管为0.7V左右

C

硅管为0.3V左右

D

硅管为0.7V左右


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 锗材料PN结的结压降为()。A、0.7VB、0.3VC、1VD、2V

考题 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时,即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时,它呈___状态,当外加电压与内电场的方向相同时,它将呈___状态,即___具有单向导电性。A、PN结;导通,截止;PN结B、晶体管;截止,导通;PN结C、晶体管;导通,截止;晶体管D、PN结;截止,导通;晶体管E、晶体管;截止,导通;晶体管

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考题 单结晶体管有()A、2个PN结3个电极B、1个PN结3个电极C、2个PN结2个电极D、1个PN结2个电极

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考题 当PN结加正向电压时,PN结处于截止状态。

考题 半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

考题 PN结的单向导电性就是:加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

考题 硅材料的PN结压降为()。A、0.7VB、0.3VC、1VD、2V

考题 PN结加正向电压则:()A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变

考题 PN结具有()性能,即加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

考题 用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()

考题 PN结具有(),即加正向电压时,PN结处于(),加反向电压时,PN结处于()。

考题 普通双极型晶体管是由()。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成

考题 PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。

考题 当PN结外加正向电压时,PN结内多子()形成较大的正向电流。

考题 PN结加正向电压,PN导通。

考题 晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右

考题 PN结的温度每升高10℃,正向压降变化()mV。A、+20B、-20C、+200D、-200

考题 两个PN结均为正偏时,晶体管工作在饱和状态;两个PN结均为反偏时,晶体管工作在截止状态。

考题 下列()情况说明三极管坏了。A、B、e极PN结正向电阻很小B、B、e极PN结反向电阻很大C、B、e极PN结正向电阻很大D、B、e极PN结正向反向电阻差别很大

考题 单选题双极型晶体管有()A 二个pn结B 一个pn结C 三个pn结D 没有pn结

考题 填空题PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。