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晶闸管有P、N、P、N四层结构,()PN结。

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参考答案

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考题 PN结反向偏置时 () A、P区接电源正极,N区接电源负极B、N区接电源正极, P区接电源负极C、反向电流较大D、反向电流较小

考题 晶体二极管实际上是把一个PN结两端加上引线的半导体器件,其中()。 A、P区为正,N区为负B、N区为正,P区为负C、P区、N区皆为负D、P区、N区皆为正

考题 PN结加正向偏置是指()。 A.P区接电源负极,N区接电源正极B.P区接电源正极,N区接电源负极C.P区和N区都接电源正极

考题 混合气体总压力(P)与各组成气体分压(P1P2…Pn)的关系是( )A.P=P1·P2…PnB.P=n(P1+P2…Pn)C.P=P1+P2…PnD.P=P1·P2…Pn/nE.P=P1+P2…Pn/n

考题 PN结P区的电位高于N区的电位称为(),简称正偏,此时电流从P区流到N区,PN结呈低阻性,所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流

考题 混合气体总压力(P)与各组成气体分压(P1、P2…Pn)的关系是( )A、P=P1·P2…PnB、P=n(P1AP2…Pn)C、P=PIAP2…PnD、P=P2…Pn/nE、P=P1AP2…Pn/n

考题 二极管的正极与PN结的P区连接,负极与PN结的N区相连。

考题 对于PN结,当P端接电源正极,N端接电源负极时,PN结处于()状态。A、导通B、截止C、时通时断

考题 PN结加正向电压是指(),当PN所承受正向电压大于起始电压时,PN结导通A、P区接电源正极B、P区接电源负极C、N区接电源正极D、N区接电源负极

考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 数据结构里,若已知一个栈的入栈序列是1,2,3,…,n,其输出序列为p1,p2,p3,…,pn,若p1=n,则pi为()。A、n-i+1B、iC、n-iD、不确定

考题 PN结的反向接法是()。A、P接正电压B、N接正电压C、PN接正电压D、PN接负电压

考题 PN结呈现正向导通的条件是:()A、P区电位低于N区电位B、N区电位低于P区电位C、P区电位等于N区电位D、都不对

考题 PN结内电场方向为P→N。

考题 PN结正向偏置是指P区接电源()极,N区接电源()极。

考题 当PN结及附近被光照时,若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对,在内电场作用下,电子、空穴分别漂移到()和(),使P端电势()N端电势(),以下正确的是()A、P区;N区;升高;降低B、N区;P区;升高;降低C、N区;P区;降低;升高D、P区;N区;降低;升高

考题 未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。

考题 使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。

考题 PN结正偏是指P区电位()N区电位。

考题 什么是P型半导体、N型半导体、PN结?

考题 使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

考题 PN结具有单向导电性,其导电方向是从N区到P区。

考题 当()后,就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体

考题 单选题晶闸管有P、N、P、N四层结构,()PN结。A 2个B 3个C 4个D 5个

考题 单选题PN结光生伏特效应()。A 电子集中的P区B 电子集中的N区结表面C 电子集中的P区表面D 电子集中的N区表面

考题 单选题对于PN结,当P端接电源正极,N端接电源负极时,PN结处于()状态。A 导通B 截止C 时通时断

考题 判断题未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。A 对B 错