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晶闸管有P、N、P、N四层结构，（）PN结。

  • A、2个
  • B、3个
  • C、4个
  • D、5个

参考答案

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考题 PN结反向偏置时 () A、P区接电源正极，N区接电源负极B、N区接电源正极， P区接电源负极C、反向电流较大D、反向电流较小
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考题 晶体二极管实际上是把一个PN结两端加上引线的半导体器件,其中()。 A、P区为正，N区为负B、N区为正，P区为负C、P区、N区皆为负D、P区、N区皆为正
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考题 PN结加正向偏置是指()。 A.P区接电源负极，N区接电源正极B.P区接电源正极，N区接电源负极C.P区和N区都接电源正极
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考题 混合气体总压力(P)与各组成气体分压(P1P2…Pn)的关系是( )A.P=P1·P2…PnB.P=n(P1+P2…Pn)C.P=P1+P2…PnD.P=P1·P2…Pn/nE.P=P1+P2…Pn/n
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考题 PN结P区的电位高于N区的电位称为（），简称正偏，此时电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流
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考题 混合气体总压力(P)与各组成气体分压(P1、P2…Pn)的关系是（　）A、P＝P1·P2…PnB、P=n(P1AP2…Pn)C、P＝PIAP2…PnD、P＝P2…Pn／nE、P＝P1AP2…Pn／n
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考题 二极管的正极与PN结的P区连接，负极与PN结的N区相连。
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考题 对于PN结，当P端接电源正极，N端接电源负极时，PN结处于（）状态。A、导通B、截止C、时通时断
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考题 PN结加正向电压是指（），当PN所承受正向电压大于起始电压时，PN结导通A、P区接电源正极B、P区接电源负极C、N区接电源正极D、N区接电源负极
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考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 数据结构里，若已知一个栈的入栈序列是1，2，3，…，n，其输出序列为p1，p2，p3，…，pn，若p1=n，则pi为（）。A、n-i+1B、iC、n-iD、不确定
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考题 PN结的反向接法是（）。A、P接正电压B、N接正电压C、PN接正电压D、PN接负电压
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考题 PN结呈现正向导通的条件是：（）A、P区电位低于N区电位B、N区电位低于P区电位C、P区电位等于N区电位D、都不对
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考题 PN结内电场方向为P→N。
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考题 PN结正向偏置是指P区接电源（）极，N区接电源（）极。
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考题 当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）A、P区；N区；升高；降低B、N区；P区；升高；降低C、N区；P区；降低；升高D、P区；N区；降低；升高
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考题 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。
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考题 PN结正偏是指P区电位（）N区电位。
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考题 什么是P型半导体、N型半导体、PN结？
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
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考题 PN结具有单向导电性，其导电方向是从N区到P区。
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考题 当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
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考题 单选题晶闸管有P、N、P、N四层结构，（）PN结。A 2个B 3个C 4个D 5个
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考题 单选题PN结光生伏特效应（）。A 电子集中的P区B 电子集中的N区结表面C 电子集中的P区表面D 电子集中的N区表面
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考题 单选题对于PN结，当P端接电源正极，N端接电源负极时，PN结处于（）状态。A 导通B 截止C 时通时断
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考题 判断题未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。A 对B 错
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