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未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

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考题 PN结反向偏置时 () A、P区接电源正极，N区接电源负极B、N区接电源正极， P区接电源负极C、反向电流较大D、反向电流较小
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考题 PN结加正向偏置是指()。 A.P区接电源负极，N区接电源正极B.P区接电源正极，N区接电源负极C.P区和N区都接电源正极
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考题 当电源正极接N区，负极接P区时，称为给PN结加反向电压或反向偏置。（）
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考题 PN结P区的电位高于N区的电位称为（），简称正偏，此时电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流
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考题 二极管的正极与PN结的P区连接，负极与PN结的N区相连。
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考题 PN结加正向电压是指（），当PN所承受正向电压大于起始电压时，PN结导通A、P区接电源正极B、P区接电源负极C、N区接电源正极D、N区接电源负极
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考题 如果在PN结的两端加一个电压，其方向是（）这个外加电压称为反向电压。A、“P区接正N区接负”B、“P区接负N区接正”C、与电流同向D、与电流反向
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考题 PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位（）。
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考题 PN结呈现正向导通的条件是：（）A、P区电位低于N区电位B、N区电位低于P区电位C、P区电位等于N区电位D、都不对
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考题 PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
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考题 PN结正向偏置是指P区接电源（）极，N区接电源（）极。
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考题 当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）A、P区；N区；升高；降低B、N区；P区；升高；降低C、N区；P区；降低；升高D、P区；N区；降低；升高
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考题 光生电流包括（）。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时，PN结输出电流
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考题 PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
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考题 PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区，这种接法称为（）或（）。
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。
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考题 PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂流电流，加正向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）；加反向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）。
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考题 PN结正偏是指P区电位（）N区电位。
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考题 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
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考题 PN结具有单向导电性，其导电方向是从N区到P区。
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考题 PN结的P区接电源负“极”，N区接电源正极，称反向偏置接法。（）
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考题 填空题在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。
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考题 单选题PN结光生伏特效应（）。A 电子集中的P区B 电子集中的N区结表面C 电子集中的P区表面D 电子集中的N区表面
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考题 填空题PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
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考题 单选题当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。A P区；B N区；C 结区；D 中间区。
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考题 判断题未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。A 对B 错
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