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tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()。

  • A、良好绝缘
  • B、绝缘中存在气隙
  • C、绝缘受潮

参考答案

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考题 当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。A对B错

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而基本不变。A对B错

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。A对B错

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A对B错

考题 西林电桥测试tanδ时,升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。A对B错

考题 当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错

考题 测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变试验电压的相位,在试验电流与干扰电流相同和相反两种情况下分别测量tanδ的方法称为移相法。

考题 当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。

考题 西林电桥测试tanδ时,升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。

考题 电流互感器主绝缘tanδ试验电压为10kV,末屏对地tanδ试验电压为2kV()

考题 当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而基本不变。

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成()。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系

考题 当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成()。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系

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考题 按提高运行电压需要来确定补偿容量时应使用()。A、QC=PCOSφB、Qc=P(tanφ1-tanφ3)C、Qc=U2ΔU/XD、C=P(tanφ1-tanφ2)/2πfU3

考题 判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A 对B 错

考题 判断题西林电桥测试tanδ时,升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。A 对B 错

考题 判断题对于良好绝缘的Tan6测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。A 对B 错

考题 单选题tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()A 良好绝缘B 绝缘中存在气隙C 绝缘受潮

考题 单选题于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而()。A 升高B 降低C 基本不变

考题 判断题对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。A 对B 错

考题 判断题当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。A 对B 错

考题 判断题当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。A 对B 错