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判断题
当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。
A

B


参考答案

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考题 当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。A对B错

考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而基本不变。A对B错

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。A对B错

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A对B错

考题 当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错

考题 试验中有时发现绝缘电阻较低,泄漏电流大而被认为不合格的被试品,为何同时测得的tanδ值还合格呢?

考题 受潮前和受潮后的电气性能要求。绝缘杆的绝缘材料应进行()长试品的(),包括干试验和受潮后的试验。

考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。

考题 当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。

考题 当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。

考题 tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而基本不变。

考题 试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成()。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系

考题 当断路器电容器的tanδ值不符合要求时,应综合分析tanδ与()的关系,查明原因。A、绝缘电阻B、电流C、电压D、并联均压电容值

考题 当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成()。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系

考题 判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A 对B 错

考题 判断题对于良好绝缘的Tan6测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。A 对B 错

考题 单选题tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()A 良好绝缘B 绝缘中存在气隙C 绝缘受潮

考题 单选题于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而()。A 升高B 降低C 基本不变

考题 判断题对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。A 对B 错

考题 判断题当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。A 对B 错

考题 判断题当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A 对B 错

考题 填空题tanδ能反映绝缘的()和小电容试品中的严重()。由随()的变化曲线,可判断绝缘是否受潮、含有气泡及老化的程度。