考题
当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A对B错
考题
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错
考题
对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。A对B错
考题
对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。A对B错
考题
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A对B错
考题
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错
考题
试验中有时发现绝缘电阻较低，泄漏电流大而被认为不合格的被试品，为何同时测得的tanδ值还合格呢？
考题
受潮前和受潮后的电气性能要求。绝缘杆的绝缘材料应进行（）长试品的（），包括干试验和受潮后的试验。
考题
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
考题
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。
考题
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。
考题
tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮
考题
对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。
考题
对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。
考题
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）A、试品电容量越大，影响越大B、试品电容量越小，影响越小C、试品电容量越小，影响越大D、与试品电容量的大小无关
考题
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系
考题
当断路器电容器的tanδ值不符合要求时，应综合分析tanδ与（）的关系，查明原因。A、绝缘电阻B、电流C、电压D、并联均压电容值
考题
当绝缘介质一定，外加电压一定时，介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成（）。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系
考题
判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A
对B
错
考题
判断题对于良好绝缘的Tan6测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。A
对B
错
考题
单选题tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）A
良好绝缘B
绝缘中存在气隙C
绝缘受潮
考题
单选题于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而（）。A
升高B
降低C
基本不变
考题
判断题对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。A
对B
错
考题
判断题当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。A
对B
错
考题
判断题当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A
对B
错
考题
填空题tanδ能反映绝缘的（）和小电容试品中的严重（）。由随（）的变化曲线，可判断绝缘是否受潮、含有气泡及老化的程度。
考题
判断题当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A
对B
错