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锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。

  • A、高
  • B、低
  • C、相等
  • D、不定

参考答案

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考题 二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。 A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结
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考题 稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性 B.PN结的反向击穿特性 C.PN结的正向导通特性 D.PN工艺特性
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考题 三极管的发射极与（）之间的PN结称为（），集电极与（）之间的PN结称为（）。
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考题 硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
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考题 二极管的正极与PN结的P区连接，负极与PN结的N区相连。
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考题 普通半导体三极管是有？（）。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成D、四个PN结组成
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考题 三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，因此能用两个二极管组成一个两PN结的三极管。
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考题 硅管比锗管受温度影响（）。A、较大B、较小C、相同
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考题 稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
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考题 由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
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考题 用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
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考题 普通双极型晶体管是由（）。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成
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考题 二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
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考题 温度增加PN结呈现的电阻将会变（）。
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考题 整流二极管的整流作用是利用PN结的（）特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的（）特性。
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考题 PN结正向电流的大小由温度决定的。
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考题 硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
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考题 晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
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考题 半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
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考题 下列（）情况说明三极管坏了。A、B、e极PN结正向电阻很小B、B、e极PN结反向电阻很大C、B、e极PN结正向电阻很大D、B、e极PN结正向反向电阻差别很大
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考题 二极管是由（）构成的。A、1个PN结B、2个PN结C、3个PN结D、4个PN结
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考题 半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。
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考题 多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
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