考题
当温度升高时,半导体的电阻率随温度升高而迅速减小,而金属的电阻率却会增大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
当本征半导体温度升高时,电子和空穴的数目都()。
考题
当温度升高时，半导体的导电能力将减弱。此题为判断题(对，错)。
考题
当温度升高时三极管的集电极电流IC增加，电流放大系数β减小。()
考题
当环境温度升高时,半导体的电阻将()。
A、增大B、减小C、不变
考题
温度升高,半导体三极管的共射输出特性曲线下移。()
此题为判断题(对，错)。
考题
当环境温度升高时，半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大B、减小C、不变D、反向
考题
当温度T升高时,三极管的Icbo将增大.（ ）
考题
当温度升高时，半导体的电阻将（）。A、增大B、减小C、不变
考题
当温度升高时，半导体的电阻将（）。A、增加B、减小C、不变D、不一定
考题
温度升高时，三极管的β值将（）A、增大B、减少C、不变D、不能确定
考题
当温度升高时，半导体电阻将（）。A、不变B、增大C、减小D、迅速增大
考题
当温度升高时，半导体电阻将（）。A、先增后减B、增大C、不变D、减小
考题
当温度升高时，半导体的电阻率随温度升高而迅速减小，而金属的电阻率却会增大。
考题
当温度升高时，半导体电阻将（）。A、增大B、减小C、不变
考题
当温度升高时，半导体的导电率将（）。A、提高B、降低C、不变D、浮动不定
考题
当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
考题
当温度升高时，三极管的参数β会（），ICBO会（），导通电压会（）。
考题
晶体三极管的参数受温度影响，当温度升高时，晶体管的ICBO将（），β将（），|UBE|将（）。
考题
晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数，当温度升高时，β和ICBO（），而UBE（）
考题
当温度升高时，半导体的电阻将（）。A、增大B、减小C、不变D、为零
考题
判断题当温度升高时，半导体的电阻率随温度升高而迅速减小，而金属的电阻率却会增大。A
对B
错
考题
填空题当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（）所以Ic也（）。
考题
单选题当温度升高时，半导体电阻将（）。A
不变B
增大C
减小D
迅速增大