考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
硅管的导通压降为（）V。A、0B、0.2C、0.5D、0.7
考题
半波整流时，二极管实际承受的反向电C压的最大值，出现在二极管（）A、截止时B、导通时C、由截止转导通时D、由导通转截止时
考题
晶闸管导通后的管压降为（）左右。A、1VB、1.2VC、0.8VD、0.6～0.7V
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
考题
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
考题
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
考题
单选题硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）A
0.7V；0.3VB
0.2V；0.3VC
0.3V；0.7VD
0.7V；0.6V
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
单选题硅开关二极管导通时的正向压降为（）。A
0.5VB
0.7VC
0.1VD
0.3V