考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
考题
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A
对B
错
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。