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单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。

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考题 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为()。 A.单极型器件B.双极型器件C.复合型器件
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考题 按照电力电子器件内部自由电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为( )。A、简单型器件B、单极型器件C、双极型器件D、复合型器件
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考题 P型半导体多数载流子是空穴,P型半导体对外显() A、中性B、导电性C、正电D、负电
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考题 半导体存储器从器件原理的角度可以分为单极型存储器和【 】。
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考题 整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
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考题 半导体器件LED是单向导电的（）。
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考题 N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 若在四价元素半导体中掺入五价元素原子，则可构成（）型半导体，参与导电的多数载流子是（）。
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考题 单极型半导体器件是（）。A、二极管B、双极性二极管C、场效应管
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考题 三级管属于（）A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件D、双极性电流控制型器件
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考题 P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。
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考题 按载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为（）。A、单极型B、双极型C、多极型D、混合型
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考题 P型半导体材料导电的载流子是空穴。
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考题 FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，因而属于（）器件。
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考题 N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
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考题 电力电子器件按照器件内部电子与空穴两种载流子参与导电的情况分为：（）、（）和（）三种。
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考题 若在四价元素半导体中掺入三价 元素原子，则可构成（）型半导体，参与导电的多数载流子是（）。
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考题 电力场效应管MOSEFT是（）器件。A、双极型B、多数载流子C、少数载流子D、无载流子
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考题 P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）A、不带电的B、带正点的C、带负电的
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考题 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 多选题电力电子器件按器件内部载流子导电不同，分为（）。A单极型B双极型C复合型D不可控型
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考题 填空题电力电子器件按照器件内部电子与空穴两种载流子参与导电的情况分为：（）、（）和（）三种。
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