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单选题
产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）
A

突触前末梢递质释放减少

B

突触后膜Ca2+电导降低

C

突触后膜Na+电导降低

D

中间神经元受抑制

E

突触后膜发生超极化

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考题 IPSP的产生机制主要与下列哪种离子通道的通透性增高有关?A．Na+B．K+C．C1-D．Ca2+
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考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．Mg2+
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考题 抑制性突触后电位产生的离子机制主要是A．Na+内流B．K+外流C．Ca2+内流D．Cl-内流E．Na+内流和K+外流
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考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。
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考题 抑制性突触后电位产生的离子机制是（） A.内流 B.内流 C. 内流 D. 内流 E. 外流
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考题 IPSP的产生主要由于突触后膜对下列哪种离子通透性增高所致A.Mg B.Ca C.Clˉ D.Na E.K
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考题 关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
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考题 抑制性突触后电位产生的离子机制是（）A、Na+内流B、K+内流C、Ca2+内流D、Cl-内流E、K+外流
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考题 产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）A、突触前末梢递质释放减少B、突触后膜Ca2+电导降低C、突触后膜Na+电导降低D、中间神经元受抑制E、突触后膜发生超极化
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考题 关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
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考题 抑制性突触后电位（IPSP）
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考题 产生突触前抑制的机制是（）A、突触前膜阈电位水平抬高B、突触前末梢递质释放减少C、突触前末梢释放抑制性递质D、由抑制性中间神经元中介E、突触后膜产生IPSP
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考题 单选题下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?（　　）A Na+内流B K+内流C Ca2+内流D Cl－内流E K+外流
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考题 单选题抑制性突触后电位产生的离子机制是（）A Na+内流B K+内流C Ca2+内流D Cl-内流E K+外流
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考题 单选题产生突触前抑制的机制是（）A 突触前膜阈电位水平抬高B 突触前末梢递质释放减少C 突触前末梢释放抑制性递质D 由抑制性中间神经元中介E 突触后膜产生IPSP
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考题 多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
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考题 单选题关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）。A Cl-通道开放可降低IPSPB 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D IPSP使神经元的兴奋性增加E IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
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考题 单选题抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。A Na+内流B K+内流C Ca2+内流D Clˉ内流E K+外流
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考题 名词解释题抑制性突触后电位（IPSP）
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考题 单选题关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A Cl通道开放可降低IPSPB 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D IPSP使神经元的兴奋性增加E IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
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