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填空题
晶习修改剂可改变结晶行为，包括晶体（）、（）和（）等。

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考题 处方调配包括A.颗粒大小，原料晶型，赋形剂B.剂型，剂量，用药途径C.收方，划价，修改等D.收方，核查，修改等E.收方，核查，发药等
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考题 游离二氧化硅由于晶体结构不同致纤维性变能力表现为A、结晶型>无定型>隐晶型B、隐晶型>结晶型>无定型C、结晶型>隐晶型>无定型D、隐晶型>无定型>结晶型E、无定型>隐晶型>结晶型
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考题 在熔池结晶过程中，沿各个方向均匀长大的颗粒晶体称为（）。A、柱晶状B、等轴晶C、枝状晶
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考题 高聚物在一定条件下可以结晶，按结晶条件不同可以形成不同形态的晶体，主要有（）。A、折叠链晶、伸展链晶、纤维状晶和串晶B、液晶、伸展链晶、纤维状晶和串晶C、折叠链晶、半晶、纤维状晶和串晶D、折叠链晶、伸展链晶、无定形晶和串晶
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考题 在结晶器中结晶出来的晶体和剩余的溶液所构成的混悬物称为晶浆。
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考题 结晶时，如果杂质与晶体具有相同晶形（晶习）时，称为（）。
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考题 焊缝中的硫和磷可形成多种（）共晶物如Fe+FeS、FeS＋FeO和Ni+Ni3S2等，它们可在晶体表面形成液态薄膜而消弱晶体间的联结能力，因而增加结晶裂纹倾向。A、低熔点B、高熔点C、沸点D、结晶
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考题 沉积岩在各个方向上具有相同的性质是由于矿物颗粒在结晶时具有趋向于某种固定形态的匀性（即晶习），矿物晶体在内部定向排列所决定的。
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考题 晶体自形程度与结晶顺序、结晶温度的关系是（）A、它形晶结晶温度低B、自形晶结晶早C、自形晶结晶温度高D、半自形晶晚于它形晶结晶
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考题 结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A、杂质浓度低，对结晶无明显影响B、杂质浓度高，影响结晶纯度C、杂质浓度高，改变晶习D、杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
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考题 随着结晶条件的不同，高聚物可以形成下列哪些形态的晶体（）A、单晶B、球晶C、柱晶D、纤维晶
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考题 欲减小其环晶半径可采取（）等措施。A、Tmax下长期结晶B、退火处理C、加成检剂D、降低结晶温度
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考题 晶习修改剂可改变结晶行为，包括晶体（）、（）和（）等。
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考题 一般来说，结晶粗大说明（）；晶体小、他形晶多说明结晶（）、（）。
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考题 填空题一般来说，结晶粗大说明（）；晶体小、他形晶多说明结晶（）、（）。
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考题 问答题为什么等轴晶系的晶体一般呈三向等长型晶习，而中级晶族晶体则往往沿c轴方向延伸或垂直于c轴延展？
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考题 单选题金属从一种固态晶体结构过渡到另一种固态晶体结构的过程称为（）A 共晶转变B 结晶C 再结晶D 重结晶
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考题 填空题结晶时，如果杂质与晶体具有相同晶形（晶习）时，称为（）。
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考题 单选题结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A 杂质浓度低，对结晶无明显影响B 杂质浓度高，影响结晶纯度C 杂质浓度高，改变晶习D 杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
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考题 多选题晶体自形程度与结晶顺序、结晶温度的关系是（）A它形晶结晶温度低B自形晶结晶早C自形晶结晶温度高D半自形晶晚于它形晶结晶
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