考题
甜炼乳冷却结晶过程于强制结晶的最适温度时投入乳糖晶种,晶种为(),其颗粒小于()μm,才能达到乳糖晶体多而细的目的。
考题
沉积岩在各个方向上具有相同的性质是由于矿物颗粒在结晶时具有趋向于某种固定形态的匀性(即晶习),矿物晶体在内部定向排列所决定的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
金属结晶时,位向相同的原子聚集为一个晶粒,由于每个晶粒的位向不同,形成的晶粒之间有了明显的分界面称为()。
A.晶体B.晶胞C.晶格D.晶界
考题
蒸发结晶时，如果为了得到下列何种晶体，只要将其溶液浓缩到表面出现晶膜即可停止加热（）。A、KNO3晶体B、NaCl晶体C、KCl晶体
考题
在结晶器中结晶出来的晶体和剩余的溶液所构成的混悬物称为晶浆。
考题
晶体是具有构造（）的固体，晶形的充分发充导致其外部晶面规则的几何形态。内部组成质点作（）排列的物质称非晶质或非晶质体。
考题
沉积岩在各个方向上具有相同的性质是由于矿物颗粒在结晶时具有趋向于某种固定形态的匀性（即晶习），矿物晶体在内部定向排列所决定的。
考题
合金结晶时若组元相互溶解所形成的固相的晶体结构与组成合金的某一组元相同，则这类固相称为（）。A、固溶体B、化合物C、晶体D、非晶体
考题
由液相同时结晶出两种固相的结晶过程称为（）。A、匀晶转变B、匀晶反应C、共晶转变D、包晶转变
考题
晶体自形程度与结晶顺序、结晶温度的关系是（）A、它形晶结晶温度低B、自形晶结晶早C、自形晶结晶温度高D、半自形晶晚于它形晶结晶
考题
高聚物在稀溶液中极缓慢冷却结晶时，可以成（）这种结晶形态；A、伸直链B、串晶C、单晶D、球晶
考题
结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A、杂质浓度低，对结晶无明显影响B、杂质浓度高，影响结晶纯度C、杂质浓度高，改变晶习D、杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
考题
如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
考题
晶习修改剂可改变结晶行为，包括晶体（）、（）和（）等。
考题
混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
考题
蒸发结晶时，如果是为了得到KNO3晶体，只要将其溶液浓缩到表面出现晶膜即可停止加热。
考题
单选题下列哪种结晶形态具有黑十字消光图像的（）A
纤维状晶B
球晶C
单晶D
树枝晶
考题
单选题高聚物在稀溶液中极缓慢冷却结晶时，可以成（）这种结晶形态；A
伸直链B
串晶C
单晶D
球晶
考题
单选题由液相同时结晶出两种固相的结晶过程称为（）。A
匀晶转变B
匀晶反应C
共晶转变D
包晶转变
考题
填空题焊接熔池的结晶形态主要取决于液相的（）。随它的增大，依次出现平面晶、胞状晶、胞状树枝晶、树枝晶和（）晶等结晶形态。
考题
填空题结晶时，如果杂质与晶体具有相同晶形（晶习）时，称为（）。
考题
单选题结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。A
杂质浓度低，对结晶无明显影响B
杂质浓度高，影响结晶纯度C
杂质浓度高，改变晶习D
杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性
考题
填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
考题
填空题晶习修改剂可改变结晶行为，包括晶体（）、（）和（）等。
考题
单选题蒸发结晶时，如果为了得到下列何种晶体，只要将其溶液浓缩到表面出现晶膜即可停止加热（）。A
KNO3晶体B
NaCl晶体C
KCl晶体
考题
判断题在共晶相图中，从L中结晶出来的β晶粒与从α中析出的βⅡ晶粒具有相同的晶体结构。A
对B
错
考题
多选题晶体自形程度与结晶顺序、结晶温度的关系是（）A它形晶结晶温度低B自形晶结晶早C自形晶结晶温度高D半自形晶晚于它形晶结晶
