考题
二极管具有的主要特性是单向导电性 ,三极管的主要特性是()。
A.双向导电性B.单向导电性C.放大特性D.稳压特性
考题
下列为PN结的特性的是()A、双向导电性B、单向导电性C、电阻效应D、电容效应
考题
PN结的主要特性是()。A.单向导电性、电容效应B.电容效应、击穿特性C.单向导电性、击穿特性D.单向导电性、电容效应、击穿特性
考题
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。A.具有放大特性B.具有单向导电性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场特性
考题
光敏二极管属于单向导电的线性半导体器件。（）
考题
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
考题
半导体二极管最主要的特性是（）的特性。A、双向导电B、不导电C、单向导电D、导电良好
考题
整流所用的半导体器件特性是（）。A、放大特性B、反向击穿C、单向导电D、饱和特性
考题
二极管的导电特性是（）导电。A、单向B、双向C、三向
考题
利用半导体器件的（）特性可实现整流。A、伏安B、稳压C、双向导电性D、单向导电
考题
晶体二极管具有（）。A、单向导电特性B、双向导电特性C、间接导电特性D、直接导电特性
考题
PN结的导电特性是（）。A、单向导电B、反向导电C、双向导电D、PN结导电
考题
PN结的主要特性是（）。A、单向导电性、电容效应B、电容效应、击穿特性C、单向导电性、击穿特性D、单向导电性、电容效应、击穿特性
考题
利用半导体器件的（）特性可实现整流。A、伏安B、稳压C、单向导电D、反向
考题
关导体PN结是构成各种关导体器件的工作基础，其主要特性是（）A、具有放大特性B、具有改变电压特性C、具有单向导电性D、具有增强内电场性
考题
可控硅的工作性能主要特点是（）。A、单向导电特性B、具有开关管的特性C、通时间可以控制的单向导电性D、以上都不对
考题
PN结的最显著特性是（）。A、稳流特性B、双向导电性C、单向导电性D、稳压特性
考题
整流所用的半导器件的特性是（）A、放大特性B、单向导电C、饱和特性D、反向特点
考题
稳压管的稳压性能是利用PN结的（）。A、单向导电特性B、正向导电特性C、反向截止特性D、反向击穿特性
考题
二极管具有的主要特性是单向导电性 ，三极管的主要特性是（）。A、双向导电性B、单向导电性C、放大特性D、稳压特性
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
考题
下列器件有单向导电特性的是（）。A、二极管B、电阻C、电感D、电容
考题
单选题半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是（）。A
具有单向导电性B
具有放大性C
具有改变电压特性D
以上都不对
考题
单选题PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是（）。A
具有放大特性B
具有单向导电性C
具有改变电压特性D
具有增强内电场特性
考题
单选题关导体PN结是构成各种关导体器件的工作基础，其主要特性是（）A
具有放大特性B
具有改变电压特性C
具有单向导电性D
具有增强内电场性