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名词解释题
反向饱和电流

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考题 随着温度的升高,三极管的参数:() A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变
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考题 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定
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考题 使用晶体管时,下列哪些额定值不能超过?() A、电流放大系数βB、反向饱和电流ICBOC、反向击穿电压BUCEOD、耗散功率PCM
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考题 在半导体()结上加反向电压,当电压从零加到1伏时,反向电流从零增加到2微安。当反向电压继续增加时,反向电流不变,这个电流称为()饱和电流。
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考题 温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 当环境温度升高时，半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大B、减小C、不变D、反向
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考题 为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
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考题 （）是衡量二极管质量优劣的重要参数，值越小，质量越好。A、正向电流B、反向饱和电流C、反向电流D、反向饱和电流
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考题 晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流。A、e和bB、e和cC、c和bD、b和f
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考题 二极管反偏时，以下说法正确的是（）A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流B、在达到死区电压之前，反向电流很小C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关D、在达到反向击穿电压之前通过电流很大，称为反向饱和电流
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考题 当环境温度升高时，三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大；B、减小；C、不变；D、反向。
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考题 简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
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考题 关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
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考题 二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。
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考题 温度增加，极电极的反向饱和电流（）。
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考题 二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA
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考题 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
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考题 温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将（）
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考题 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。A、增大B、不变C、减小
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考题 在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
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考题 关于稳压二极管的特性，下列说法中正确的有（）A、它在正向击穿电压状态下工作B、当反向电压小于其击穿电压时，反向饱和电流近似为零C、当反向电压大于其击穿电压时，反向饱和电流急剧增大D、其内部结构与晶体三极管相似E、它在反向击穿电压状态下工作
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考题 三极管当（）开路时，在集电结加反向电压时，这时流经集电结的反向电流称为集电极反向饱和电流，用符号（）表示。
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考题 在二极管上加反向电压时，在一定范围内，反向电流基本（），与反向电压的大小无关，通常称为反向饱和电流。
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考题 测量二极管的反向饱和电流时，反向电压增加时，反向电流（）。A、不变B、增大C、减小D、不一定
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考题 问答题为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
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考题 判断题二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。A 对B 错
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考题 单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A 10μAB 15μAC 20μAD 40μA
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