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单选题
电离辐射入射到介质内时，会产生所谓的“建成效应“，它指的是（）
A

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最小

B

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最大

C

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少，直到吸收剂量达到最小

D

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最小

E

介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最大

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考题 关于剂量建成区形成的原因，错误的是（）A、高能X（γ）射线入射到人体或模体时，在体表或皮下产生高能次级电子B、虽然所产生的高能次级电子射程较短，但仍需穿过一定深度直至能量耗尽后停止C、在最大电子射程内高能次级电子产生的吸收剂量随组织深度增加而增加D、高能X（γ）射线随组织深度增加，产生的高能次级电子减少E、剂量建成区的形成实际是带电粒子能量沉积过程
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考题 介质的绝缘电阻随温度升高而减少，金属材料的电阻随温度升高增加。
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考题 电离辐射入射到介质内时，会产生所谓的"建成效应"，它指的是（）A、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最小B、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最大C、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少，直到吸收剂量达到最小D、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最小E、介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最大
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考题 单选题电介质的tgδ值（）。A 随温度升高而下降B 随频率增高而增加C 随电压升高而下降D 随湿度增加而增加
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考题 单选题电离辐射入射到介质内时，会产生所谓的“建成效应”，它是指（　　）。A 介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最小B 介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最大C 介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少，直到吸收剂量达到最小D 介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最小E 介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最大
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考题 判断题介质的绝缘电阻随温度升高而减少，金属材料的电阻随温度升高增加。A 对B 错
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考题 单选题对于高能X射线的吸收剂量测量，下列观点哪个不正确？（）A 不能把电离室看作照射仪表去求吸收剂量B 把空腔电离离室看作一个布拉格-格雷空穴C 把介质中的吸收剂量与介质内较小的充气空腔中单位体积的电离相联系D 把空腔电离室当作布拉格-格雷空腔测量吸收剂量时，不需要电子平衡条件E 电离室不能当做电子探测器
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