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填空题
从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（）和（）（）。

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考题 三极管开关电路中,影响开关速度的主要因素是()。 A、tdB、trC、tsD、tf
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考题 三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可降低饱和深度。()
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考题 变流器中开关器件的开关特性决定了控制电路的功率、响应速度、频带宽度、可靠性和等指标。()
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考题 ( )可提高逆变器的输出能力。A、提高直流电压利用率B、降低直流电压利用率C、减少器件的开关次数D、增加器件的开关次数
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考题 提高晶体管开关速度，除选用开关管外，常用（）的方法来解决。A、加速电容B、提高工作电源C、增加触发时间D、提高触发幅度
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考题 主导TFT器件工作的半导体现象是什么？它的物理意义和主要影响参数？为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用，从半导体的角度应该提高什么，降低什么？
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考题 以下哪项不是硬开关技术设计的整流器的特点。（）A、功率开关器件工作在强迫关断（即电流不为零）和强迫导通（即电压不为零）方式B、在开关器件的导通和截至期间，存在一定的功率损耗C、硬开关技术已完全成熟，如何减少开关器件的损耗，提高整机的效率有许多有效的措施D、各开关器件可实现零电压导通和截止，减少了开关损耗，提高开关频率
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考题 开关量输出模块在继电器输出方式中，（）作为开关器件，同时有是隔离器件A、继电器B、三极管C、模拟开关D、固态继电器
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考题 开关量输出模块在可控硅输出方式中，（）作为开关器件，同时有是隔离器件A、继电器B、三极管C、模拟开关D、固态继电器
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考题 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
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考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有（）以及两者混合管，功率集成器件等。
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考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管
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考题 二极管和三极管作为开关器件使用时，都有“开关时间”，使得开关速度受到限制。
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考题 三极管开关电路中，影响开关速度的主要囚素是（）。A、tDB、tRC、tSD、tF
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考题 可以改善三极管的开关特性和提高开关速度的途径有（）。A、设计合理的外电路（抗饱和电路）B、加大UBEC、选择开关时间较小的管子D、减小UBE
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考题 开关电源的类型按负载与开关管的关系分为（）；按稳压方式分为（）；按开关器件的激励方式分为（）
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考题 斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是（）A、电力二极管B、机械式开关C、半控型器件D、全控型器件
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考题 在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。
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考题 在晶体管开关电路中，通常采用哪些措施来提高它的开关性能？
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考题 以下哪项不是软开关技术设计的整流器的特点。（）A、各开关器件可实现零电压导通和截止，减少了开关损耗，提高开关频率B、工作频率可大于10MHzC、按过零开关方式，可以将谐振型开关技术分为零电流开关型（ZCS）和零电压开关型（ZVS）两大类D、在开关器件的导通和截至期间，存在一定的功率损耗
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考题 判断题在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。A 对B 错
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考题 填空题目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有（）以及两者混合管，功率集成器件等。
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考题 单选题功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A MOSFET功率场效应管B IGBT绝缘栅双极晶体管C GTR晶闸管D BJT双极型晶体管
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考题 多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有（）A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT
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考题 多选题减小开关驱动管的损耗主要途经是（）。A选用低导通电阻的驱动管B提高驱动管的驱动信号的边沿陡度C提高开关频率D减小开关频率
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考题 单选题（）可降低开关损耗。A 提高直流电压利用率B 降低直流电压利用率C 减少器件的开关次数D 增加器件的开关次数
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考题 单选题减小开关驱动管的损耗主要途经是（）。A 选用低导通电阻的驱动管；B 提高驱动管的驱动信号的边沿陡度；C 提高开关频率；D A和B及减小开关频率；
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